• Tiada Hasil Ditemukan

(c) Jelaskan secara grafik bagaimana titik kuasa maksima ditentukan

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2022

Share "(c) Jelaskan secara grafik bagaimana titik kuasa maksima ditentukan"

Copied!
3
0
0

Tekspenuh

(1)

LTNIVERSITI SAINS MALAYSIA Peperiksaan Semester Kedua Sidang Akademik 2003/2004

Februari/Mac 2004

WE 341/4 - Kajian Tenaga

Masa : 3 jam

Sila pastikan bahawa kertas peperiksaan ini mengandungi DUA muka surat yang bercetak sebelum anda memulakan peperiksaan ini.

Jawab kesemua LIMA soalan. Kesemuanya wajib dijawab dalam Bahasa Malaysia.

(2)

-2

Cas elektronik q = 1 .602 x 10"19 Coulomb Halaju cahaya dalam vakum c = 2.998 x 108 m/s Konstan Planck h = 6.625 x 10"34 Js

Konstan Boltzmann k =1 .380 x 10-23J/K

Konsentrasi Pembawa Intrinsic n; =1 .5 x 101° cm-3 Jurang jalur silicon Eg = 1 .1 eV.

(c) Jelaskan secara grafik bagaimana titik kuasa maksima ditentukan.

[ZCE 341]

1 . (a) Takrifkan maksud kecekapan sel suria. (20/100)

Lakarkan graf yang menunjukkan voltan litar terbuka dan arcs litar pintas danjuga ciri arus melawan voltan bagi sel suria.

(20/100)

(20/100) (d) Suatu sel silicon yang berluas kawasan 144 cm2 menghasilkan voltan litar terbuka 620 mV pada suhu 300K. Arus litar pintas yang terhasil ialah 2.9 A dibawah l-kW/m2 sinaran. Dengan menganggap sel berkelakuan sempurna, hitungkan kecekapan penukaran tenaga sel tersebut pada titik kuasa maksima.

(40/100)

2. (a) Jelaskan empat faktor baziran sel suria silikon. (40/100) (b) Jelaskan dua teknik yang boleh digunakan untuk mengurangkan dua

daripada faktor baziran di atas. (60/100)

3 . (a) Bincangkan dengan terperinci dua peranan diod dalam system fotovolta.

(30/100) (b) Apakah kadar anus dan kadar voltan yang sesuai bagi diod untuk system

fotovolta.

(30/100) (c) Lakarkan rajah menunjukkan cars yang sesuai untuk sambungan modul suria bagi susunatur voltan tinggi. Lakarkan juga rajah menunjukkan cara yang tidak sesuai dan berikan sebab-sebab kesesuaian/ketaksesuaian bagi rajah-rajah yang anda lakarkan.

(40/100)

(3)

3 [ZCE 341]

-0000000-

4. (a) Takritkan kecekapan bateri. (10/100)

(b) Tuliskan rumus asas bagi tindakbalas elektokimia untuk sel asid plumbum.

(20/100) (c) Bincangkan bagaimana kadar discas dan suhu mempengaruhi kapasiti

bateri.

(30/100) (d) Jelaskan proses penghasilan silikon hablur tunggal dari Proses Czochmlski.

(40/100)

5. (a) Jelaskan proses penghasilan biogas. (50/100)

(b) Jelaskan dua faktor yang mempengaruhi proses tersebut. (50/100)

Rujukan

DOKUMEN BERKAITAN

(b) Sekiranya voltan pecah tebat untuk diod zener ialah 2.5 V, rekabentukkan litar rujukan voltan yang mempunyai 8 V voltan keluaran.. From Figure 1, determine R 1 if the zener

(c) Lakarkan rajah menunjukkan cara yarlg sesuai untuk sambungan modul suria bagi susunatur voltan tinggi. Lakarkan juga rajatr menunjukkan cara yang tidak sesuai

(b) Dengan menggunakan analisis nod, dapakan voltan pada setiap nod dan kuasa yang dihantar ke sumber voltan bersandar dalam litar yang ditunjukkan dalam Rajah 2(b)..

Pengukuran ketumpatan arus-voltan (J-V) mengesahkan kecekapan sel suria untuk empat kitaran SILAR lapisan Pb x Cd 1-x S dengan pecahan molar, x dalam 0.05 bagi lapisan

Ciri-ciri penting di dalam menganalisa litar ini adalah rintangan masukan , rintangan keluaran , kealiran pindah , dan gandaan voltan.. Andaikan rintangan tapak

Beri keterangan daripada bentuk ciri voltan melawan arus dengan pertolongan persamaan yang sesuai berasaskan pada litar setara penjana.. Draw and explain the load

(b) Jika punca voltan Vs(t) di atas dibekalkan kepada litar RL seperti Rajah 5(b), cari perwakilan siri Fourier bagi keluaran arus ln(t) yang mengalir dalam litar ini

Dengan menggunakan litar sambungan sesiri yang sesuai, dengan satu rintangan beban luaran disambungkan kepada penjana hingar, tunjukkan bagaimana kuantiti voltan hingar yang